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詳細資料ISBN：9789571152455 規格：平裝 / 528頁 / 29 X 26 X 1 CM / 普通級/ 單色印刷 / 初版 出版地：台灣 內容簡介 矽積體電路製程的特徵尺寸縮小到深次微米(DEEP SUBMICRON METER)，經歷幾個階段，0.35μM、0.25μM、0.18μM、0.13μM，現階段以達到0.10μM0.07μM。相關的製程、設備、材料或場務設施，都有革命性的更新和進步。微影照像是受到影響最大的製程。DRAM的電晶體的閘極結構和材料、工程。高介電常數材料使電容量保持夠大。金屬化製程、阻障層、內嵌、快閃、鐵電記憶體結構等。高深寬比的乾蝕刻製程需要高密度電漿；降低阻容延遲(RC DELAY)使用低介電常數材料和銅製程。新製程有雙大馬士革(DUAL DAMASCENE)、電鍍(ELECTRO PLATING)、無電極電鍍(ELECTROLESS PLATING)和∕或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。21世紀－奈米元件更製作出單電子電晶體。晶圓尺寸由8吋擴大到12吋，為的不止是提高良率、提高機器使用率；也考慮到生產力，節省工廠面積、還要兼顧人工學(ERGONOMICS)和減少化學藥液以利環保。 本書配合拙著電子材料、半導體製程設備、工業電子學構成一完整系列。期望給想從事半導體的同學和研究生，或和半導體製程相關行業的工程師、經理、教授、老師們一項便捷的參考。作者簡介張勁燕學歷： 交通大學電子工程研究所博士經歷： 明新工專電子科副教授（或兼科主任） 逢甲大學電子系副教授 逢甲大學電機系副教授（或兼系主任）現職： 逢甲大學電子系副教授專長 半導體元件、物理 VLSI製程設備及廠務 奈米科技 積體電路構裝 |
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資料來源：博客來
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